7月26日，美光公司宣布已開始量產全球首款 232 層 NAND，與前幾代美光 NAND 相比，它具有業界最高的面密度，并提供更高的容量和更高的能效。
按照美光介紹，這是閃存行業首次跨入兩百層。與前幾代美光 NAND 相比，新產品具有業界最高的面密度，可以提供更高的容量和更高的能效，從而為從客戶端到云的數據密集型用例提供一流的支持。
" 美光的 232 層 NAND 是存儲創新的分水嶺，它首次證明了在生產中將 3D NAND 擴展到超過 200 層的能力，" 美光技術和產品執行副總裁 Scott DeBoer 說。" 這項突破性技術需要廣泛的創新，包括創建高縱橫比結構的先進工藝能力、新型材料的進步以及基于我們市場領先的 176 層 NAND 技術的領先設計增強。"Scott DeBoer 進一步指出。
美光232 層 NAND 技術提供了必要的高性能存儲，以支持數據中心和汽車應用所需的高級解決方案和實時服務，以及在移動設備、消費電子產品和 PC 上的響應式沉浸式體驗。該技術節點能夠引入業界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s) — 以滿足人工智能和機器學習等以數據為中心的工作負載的低延遲和高吞吐量需求，非結構化數據庫和實時分析以及云計算。
該速度比美光 176 層節點上啟用的最快接口快 50%。與上一代相比，232 層 NAND 還提供高達 100% 的更高寫入帶寬和 75% 以上的每裸片讀取帶寬。這些單芯片優勢可轉化為 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能和能效提升。
232 層 NAND 采用新的 11.5 毫米 x 13.5 毫米封裝發貨，其封裝尺寸比美光前幾代產品小 28%。美光 232L TLC NAND 被稱為 B58R，單 Die 容量 1Tb，可以以 16*Die 封裝實現單芯片封裝內 2TB 的容量。
此外，232層NAND推出全球首款六平面TLC量產NAND。它在所有 TLC NAND中每個芯片的平面最多，并且每個平面都具有獨立的讀取能力。高 I/O 速度、讀寫延遲和美光的六平面架構相結合，可在許多配置中提供一流的數據傳輸。這種結構確保了寫入和讀取命令之間的沖突更少，并推動了系統級服務質量的改進。
據悉，美光的 232 層 NAND 現已在該公司的新加坡工廠量產，最初將以組件形式通過 Crucial 英睿達 SSD 消費產品線向客戶發貨。
