比利時研究實驗室IMEC已經制定了1nm以下至2埃米（A2）的半導體工藝技術和芯片設計的路徑。
據eeNews報道，IMEC首席執行官Luc van den Hove在未來大會（Futures conference）上表示:“我們相信摩爾定律不會終結，但需要很多方面共同做出貢獻。”
他提到了幾代器件架構，從FinFET器件到插板和原子通道器件，以及新材料和ASML的High-NA光刻機的引入，這需要很多年的時間。目前正在安裝的NA原型設備將在2024年投入商用。“我們相信，光刻工具將把摩爾定律擴展到相當于1nm的一代以下。”
但其也表示，為了邁向更先進制程，需要開發新的器件架構，以及推動標準單元的縮小。在FinFET已經成為從10nm到3nm的主流技術的基礎上，“從2nm開始，由納米薄片堆疊而成的GAA架構將是最有可能的概念。”
他提到了IMEC開發的forksheet架構。“這使得我們可以用屏障材料將N和P通道更緊密地連接在一起，這將是一種將柵極擴展到超過1nm的選擇。接下來，你可以把N和P通道放在一起，以進一步擴大規模，我們相信我們已經開發了這些架構的第一個版本。”
使用鎢或鉬的新材料，可以為2028年的1nm（A10）工藝和2034年的4埃米（A4）和2036年的2埃米（A2）結構制造出相當于幾個原子長度的柵極。
與此同時，互聯性能也需要改善。“一個有趣的選擇是將電力輸送移到晶圓的背面。這為前端的互連留下了更多的設計靈活性。所有這些都會導致未來15到20年的規模擴大。”
未來的系統芯片設備將使用TSV和微凸點技術進行芯片的3D堆疊集成，并使用不同制程芯片完成不同的任務，使得多個3D芯片需要連接在一個硅中介層上。
“我們一直在開發所有這些技術，就在我們說話的時候，這些技術正在逐漸被工業界采用。”
